隨著科技浪潮的不斷推進(jìn),芯片技術(shù)已成為驅(qū)動(dòng)各行各業(yè)革新的核心引擎。作為國內(nèi)高端模擬信號(hào)鏈芯片和低功耗SoC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,某企業(yè)始終致力于前沿科技的研發(fā)和創(chuàng)新,其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。隨著業(yè)務(wù)擴(kuò)張和技術(shù)的迭代升級(jí),對(duì)于產(chǎn)品質(zhì)量的要求日益嚴(yán)苛,先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備成為了支撐其研發(fā)工作的關(guān)鍵要素。
為此,該企業(yè)決定引進(jìn)DHT?(多禾試驗(yàn))的恒溫恒濕試驗(yàn)箱,用于以下一系列關(guān)鍵實(shí)驗(yàn):
1. 芯片溫濕度應(yīng)力測(cè)試
實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span>:驗(yàn)證芯片在不同溫濕度條件下的工作穩(wěn)定性,以確保產(chǎn)品在極端環(huán)境中的可靠性。
實(shí)驗(yàn)流程:
將芯片樣品放置在恒溫恒濕試驗(yàn)箱內(nèi);
設(shè)置試驗(yàn)箱溫度范圍為-40℃至85℃,濕度范圍為20%至98%;
執(zhí)行以下溫濕度循環(huán)測(cè)試:
低溫高濕階段:溫度設(shè)定為-40℃,濕度為98%,持續(xù)8小時(shí);
高溫低濕階段:溫度升至85℃,濕度降至20%,持續(xù)8小時(shí);
恢復(fù)階段:將溫度調(diào)回室溫(約25℃),濕度設(shè)定為50%,持續(xù)8小時(shí);
上述循環(huán)重復(fù)執(zhí)行,持續(xù)時(shí)間為每循環(huán)24小時(shí),進(jìn)行多個(gè)循環(huán)直至測(cè)試完成。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB/T 2423.4-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Db:交變濕熱(12h+12h循環(huán))
2. 芯片老化測(cè)試
實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span>:通過加速老化模擬長(zhǎng)期使用環(huán)境,評(píng)估芯片的使用壽命和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
實(shí)驗(yàn)流程:
選擇一批樣品芯片,并進(jìn)行初步電性能測(cè)試;
將樣品放入恒溫恒濕試驗(yàn)箱中,設(shè)置溫度為125℃,濕度為85%,持續(xù)測(cè)試1000小時(shí);
在測(cè)試過程中定期取樣,檢測(cè)芯片性能變化,記錄各項(xiàng)數(shù)據(jù)。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn): GB/T 2423.3-2016 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cab:恒定濕熱試驗(yàn)方法
3. 芯片封裝濕氣敏感性測(cè)試
實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span>:評(píng)估芯片封裝在不同濕度條件下的濕氣敏感性,以減少產(chǎn)品因濕氣引起的失效風(fēng)險(xiǎn)。
實(shí)驗(yàn)流程:
挑選一組芯片封裝樣品,并在進(jìn)行預(yù)處理后,置于恒溫恒濕試驗(yàn)箱內(nèi);
調(diào)節(jié)試驗(yàn)箱的濕度為85,溫度為60℃;
在上述條件下持續(xù)暴露168小時(shí),然后將樣品取出,進(jìn)行焊接應(yīng)力測(cè)試。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):IPC/JEDEC J-STD-020E 電子元器件濕氣敏感度等級(jí)(MSL)測(cè)試及分類
通過這些關(guān)鍵實(shí)驗(yàn),該公司能夠全面評(píng)估芯片在極端環(huán)境下的性能表現(xiàn),并確保產(chǎn)品的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性。這將進(jìn)一步提升產(chǎn)品的質(zhì)量和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,在未來的激烈市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)和技術(shù)挑戰(zhàn)面前,該公司將持續(xù)依靠DHT?(多禾試驗(yàn))提供的先進(jìn)技術(shù),不斷創(chuàng)新突破,引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展,為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。
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